Cr-Si中高阻膜电阻器具有精度高、噪声低、温度系数小、耐热性和稳定性好等优点，在精密电子设备和混合集成电路中大量采用。对于溅射制备电阻膜来说，靶材是至关重要的，它制约着金属膜电阻器的电阻率、精度、可靠性、电阻温度系数（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。电阻温度系数（TCR）是金属膜电阻器的一个重要性能技术指标之一，较大的TCR在温度变化时会造成电阻值漂移，从而影响电阻器的精度和稳定性。目前国内外生产的金属膜电阻器用高阻靶材，其性能不能满足低TCR(≤25ppm/C）要求。
所制备的靶材(382mm×128mm×14mm)在溅射成电阻器薄膜后，电阻温度系数小(≤25×10-6/℃)，电阻值高（要求不刻槽数量级为千欧，刻槽后数量级为兆欧）且稳定（随时间变化小），因此，在本靶材研究中，将选择Cr、Si作为高阻靶材的主体材料。由于Cr、Si熔点高，原子移动性低，因此由其所组成的薄膜稳定性高。通过在金属Cr中引入半导体材料Si来提高电阻器合金膜的阻值。Cr是很好的吸收气体的金属元素，在电阻器薄膜溅射过程中，可通过通入微量的氧来提高薄膜的电阻率，同时调节电阻温度系数。