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一种阻变存储器元件及其制备方法
发布日期：2019-12-20 | 浏览：次
技术详情
根据目前的研究情况，阻变存储器的制造技术为主要为原子层沉积技术。原子层沉积技术原理是通过化学反应，将物质以单原子膜的形式一层层镀在基底表面的方法，这种技术使得每次化学反应只沉积一层原子。
忆阻存储器是一种新兴的非挥发性存储器，具有简单的器件结构、较快的操作速度和相对较小的功耗。与传统浮栅闪存相比，在器件结构、速度、可微缩性、三维集成潜力等方面都具有明显的优势。
忆阻器具有以下特点：①忆阻器是连续器件，因而存储的精度是无限的；②忆阻器在使用过程中其内部的结构发生变化，因而具有电不易失性；③由于忆阻器是基础元器件，可以方便地将忆阻器设计在电路中，获得混合型的电路，便于使用；④随着忆阻器内部变量变化方式的不同，可以实现数字与模拟两种状态。
阻变存储器是最具应用前景的下一代非易失性存储器之一。随着研究的深入和技术的成熟，忆阻将在人工神经网络、保密通信、存储器、模拟电路、人工智能计算机、生物行为模拟等方面得到广泛应用。由于其优良的特性，将大大降低生产成本，丰富人类生活，优化生活质量。
适用对象
原材料、设备、厂房、动力、土地、人力资源、环保、周围环境
