本技术合作针对现有的实际现状，通过研究铌酸锂波导薄膜化新结构，攻克铌酸锂薄膜波导制备过程中的关键技术，实现低插损铌酸锂薄膜波导的制备，获得该类型波导的各项关键电学性能指标，进一步设计和制作与该类型波导匹配的高频电学结构，研制出更小尺寸、更低功耗、性能更为稳定的基于铌酸锂薄膜平台的铌酸锂高频微型电光调制器，为下一代通信系统研发提供支撑。

主要实现成果：

1.利用薄膜化芯片，减小或去除行波电极与铌酸锂晶片之间二氧化硅缓冲层，可有效提高电光转换效率，与传统体材料平台上实现的调制器比较，可缩小器件40%或降低半波电压20%。

2.使用金一金键合方式绑定铌酸锂薄膜制作调制器芯片，从而可选择先制备铌酸锂薄膜，波导后期加工的工艺流程。相比国外已有报道的制作工艺，本项目采用的工艺流程更加科学合理，成本低，成品率高，易于大规模生产加工。

目前，已申请发明专利3项，发明专利授权1项，实用新型专利授权4项。